غلبه بر چالشهای پردازش تک کریستالهای کاربید سیلیکون با ماشینکاری دقیق
27 سپتامبر 2024 -توسط انتشارات دانشگاه Tsinghua ویفرهای SiC سطح دستگاه نیاز به یک فرآیند سیستماتیک از جمله رشد تک کریستال، برش سیم، ساییدن یا آسیاب کردن، و پرداخت مکانیکی…
گروه تحقیق کل نگار